測定技術：
1）IV/IVLプロパティ:IVとIVLカーブはOLEDとOPV標準的な測定手法、曲線を通じてサンプルの電流電圧特性関係、電流電圧と光強度の特性関係を得ることができる、
*有機半導体材料については、空間電荷制限電流SCLCによりPmax、FF、Voc、Isc及び移動度等を分析することができ、|
2）過渡光電流応答法（Transient Photocurrent）：キャリア動力学過程及びキャリア密度等の研究；
3）過渡光電圧（Transient Photovoltage）：キャリア寿命と複合過程を研究する、
4）デュアルパルス過渡光電流（Double Transient Photocurrent）：電荷キャリア捕捉の動的過程を分析する、
5）暗注入過渡法（Dark Injection）：単一キャリア素子とOLEDについて、そのキャリア移動度を研究する、
6）電圧パルス法（Voltage Pulse）：直列抵抗、幾何容量とRC効果分析、
7）暗状態線形増圧キャリア過渡法（Dark-CELIV）：パラメトリック濃度、比誘電率、直列抵抗、電荷キャリア移動度測定；
8）光照射線形増圧キャリア過渡法（Photo-CELIV）：有機太陽電池シート内のキャリア移動度を抽出するmobility、及びキャリア濃度解析等、
9）時間遅延線形増圧キャリア過渡法（Delaytime-CELIV）：複合動的過程分析と郎之万複合因子分析など、
10）注入線形過給キャリア過渡法（Injection-CELIV）：電荷キャリア濃度と電荷キャリア移動度測定分析、
11）MIS-CELIV：幾何容量と相対誘電率解析、
12）インピーダンススペクトル測定（Impedance Spectroscopy）：デバイス等価回路解析等；
13）容量周波数測定法（C-f）：移動度、トラップ、幾何容量及び直列抵抗測定、
14）容量電圧測定法（C-V）：内部建設電圧、ノイズ濃度及び幾何容量などの測定；
15）過渡エレクトロルミネッセンス試験（Transient Electroluminescence）：OLEDデバイスのキャリアを抽出し、リン光寿命測定、

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